[发明专利]激光诱导热成像设备和制造有机发光二极管的方法有效
| 申请号： | 200610140373.4 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1944069A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 鲁硕原;李城宅;金茂显;宋明原;金善浩;成镇旭 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | B41M5/382 | 分类号： | B41M5/382;H01L21/00;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光诱导热成像设备以及使用该设备制造有机发光二极管的方法，其在真空中利用磁力层叠受主衬底和施主膜，且用于在该受主衬底上形成像素阵列。衬底台包括磁体或磁物质。该受主衬底具有用于形成第一、第二和第三子像素的像素区，该施主膜具有将被转移到该像素区的有机发光层。激光振荡器照射激光到该施主膜。接触框架适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间，且用于与该衬底台形成磁力。该接触框架包括激光穿过的开口。接触框架供给机构在该衬底台的方向上移动该接触框架。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 诱导 成像 设备 制造 有机 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光诱导热成像设备，包括：包括磁体或磁物质的衬底台，该衬底台适于接收将要在该衬底台上彼此层叠的受主衬底和施主膜，该受主衬底具有用于形成第一子像素、第二子像素和第三子像素的像素区，该施主膜具有将要转移到该像素区的有机发光层；用于照射激光到该施主膜的激光振荡器；适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间的接触框架，该接触框架用于与该衬底台形成磁力，且包括激光穿过的开口；以及用于在该衬底台的方向上移动该接触框架的接触框架供给机构。
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