[发明专利]单层碳纳米管的制造方法无效
| 申请号： | 200610140271.2 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101164872A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;刘阳桥;高濂;孙静 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够安全、高收率地制造具有相同长度的高纯度单层碳纳米管，且可控制长度的单层碳纳米管的制造方法。通过用硝酸等酸处理利用各种方法合成的包含单层碳纳米管的炭系材料，除去金属杂质，并且在单层碳纳米管的管壁上生成缺陷。接着，通过使用硝酸、过氧化氢、过硫酸盐化合物等氧化剂处理该炭系材料，切断单层碳纳米管。然后，利用氨气等还原性气体处理该炭系材料，从而除去碳杂质，并使单层碳纳米管的缺陷恢复。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 纳米 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.单层碳纳米管的制造方法，其特征在于，具备以下步骤：用酸处理包含单层碳纳米管的炭系材料的步骤、用氧化剂处理用所述酸处理过的所述炭系材料的步骤、用还原性气体处理用所述氧化剂处理过的所述炭系材料的步骤。
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