[发明专利]鳍片型场效应晶体管结构以及用于制造这种结构的方法无效
| 申请号： | 200610139559.8 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1976059A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包括位于衬底上面的半导体鳍片的半导体结构以及它的制造方法。栅电极位于所述半导体鳍片的上面。该栅电极在位于离半导体鳍片较近处的第一区域中具有第一应力，并且在位于离半导体鳍片较远处的第二区域中具有不同于第一应力的第二应力。所述半导体鳍片还可在衬底内部的基座上面对齐。在适当的应力条件下对所述半导体结构进行退火，以获得半导体器件性能的增强。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片型 场效应 晶体管 结构 以及 用于 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
1、一种结构，包括：位于衬底上面的半导体鳍片；位于半导体鳍片上面的栅电极，该栅电极在位于离半导体鳍片较近处的第一区域中具有第一应力，并且在位于离半导体鳍片较远处的第二区域中具有不同于第一应力的第二应力。
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