[发明专利]对存储器元件进行编程的系统及方法有效
| 申请号： | 200610138883.8 | 申请日： | 2006-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1949392A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 叶致锴;蔡文哲;廖意瑛 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多电平单元(MLC)，可通过如每一单元中两端的每一端储存两比特来储存4比特。每一端可以储存，如四种不同电流电平状态，其通过在编程期间空穴注入如氮化层中的数目来决定。在一个提供的电位下，当更多的空穴注入，则电流减少。因此，电流可以是低的，在一实施例中通过使用电流放大器得到益处，此电流放大器可以是双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体晶体管(MOS)或其他类型的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 进行 编程 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器元件，包含：PHINES存储器单元，配置为产生检测电流，以回应施加于该PHINES存储器单元的检测电压；以及放大单元，与该PHINES存储器单元耦合，该放大单元配置为放大该PHINES存储器单元产生的该检测电流。
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