[发明专利]具有小尺寸光学黑区的互补金属氧化物半导体图像传感器有效
| 申请号： | 200610136395.3 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1941856A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 安正 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N3/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | CMOS图像传感器包括多个有源像素行和一光学黑像素行。该光学黑像素行根据至少两个有源像素行每一个的激活而激发产生各自的光学黑信号。这样共用光学黑像素行减小了CMOS图像传感器的光学黑区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 尺寸 光学 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括：多个有源像素行；和一光学黑像素行，其当至少两个有源像素行的每一个激活时激发而产生各自的光学黑信号。
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