[发明专利]在相变存储单元中形成相变层有效
| 申请号： | 200610129021.9 | 申请日： | 2006-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1925186A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | M·马吉斯特雷蒂;P·佩特鲁扎 | 申请（专利权）人： | 奥沃尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 相变存储器单元包括半导体主体上相变材料的相变层。硬掩模结构在相变层上形成，且抗蚀掩模在硬掩模结构上形成。硬掩模通过使用抗蚀掩模成形硬掩模结构而形成。相变层使用硬掩模成形。抗蚀掩模在成形相变层之前被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 形成 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体主体上形成相变材料的相变层；在所述相变层上创建硬掩模结构；在所述硬掩模结构上创建抗蚀掩模；通过使用所述抗蚀掩模成形所述硬掩模结构来形成硬掩模；去除所述抗蚀掩模；以及在去除所述抗蚀掩模之后使用所述硬掩模成形所述相变层；
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