[发明专利]具有受限电流路径的电流垂直平面读传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610128062.6 | 申请日： | 2006-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1925000A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·R·奇尔德雷斯;乔丹·A·凯延 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有光刻定义的导电通路形成的受限电流路径的CPP读传感器及其制造方法。在一示例中，在第一屏蔽层上形成包括导电间隔层的传感器堆叠结构。绝缘层沉积在间隔层上并与之相邻，暴露绝缘层的一个或更多部分的抗蚀剂结构形成在绝缘层上。采用在适当位置的抗蚀剂结构，暴露的绝缘层部分通过蚀刻被去除从而形成穿过绝缘层向下到间隔层的一个或更多孔。导电材料随后沉积在该一个或更多孔内从而形成电流约束结构的一个或更多光刻定义的导电通路。这样的光刻定义的导电通路增大了读传感器有源检测区域中的电流密度，由此同时增大其电阻和磁致电阻。可以改变和选择通路的尺寸和数量以精确“调整”该传感器的电阻和磁致电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 受限 电流 路径 垂直 平面 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有受限电流路径的电流垂直平面(CPP)读传感器的方法，包括：形成传感器堆叠结构；以及进行光刻工艺从而与该传感器堆叠结构的导电层相邻地形成电流约束结构，该电流约束结构包括被绝缘材料包围的光刻定义的导电通路。
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