[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200610126577.2 | 申请日： | 2006-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1992079A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 半泽悟;关口知纪;竹村理一郎;秋山悟;梶谷一彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/4091 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，在包含DRAM等半导体存储器的半导体器件中，实现动作余量的增大和消耗功率的降低。例如，具有由副放大器(SAMP)对从读出放大器阵列(SAA)读出到本地输入输出线(LIO)上的信号进行放大并传送到主输入输出线(MIO)的列系统电路。在各副放大器(SAMP)中，设有例如可以按照读起动信号(RD1、2)设定2种电流的电流控制电路(IC)。读起动信号(RD1、2)，通过时序控制电路的控制，在与突发读出动作的周期数对应的时刻生成。在存储体激活后紧接着的突发读出动作周期中，由(RD1)将电流控制电路(IC)的电流设定得较大，在后续的读出周期中，由(RD2)将电流控制电路(IC)的电流设定得较小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有包含存储单元和放大上述存储单元的存储信息的读出放大器的存储阵列、分层结构的输入输出线、副放大器、主放大器、以及时序控制电路，该半导体器件的特征在于：上述副放大器，具有可产生第一电流或第二电流的可变电流源，从而控制驱动能力，并根据上述驱动能力将从上述存储阵列读出到下层的输入输出线上的电压信号放大，上述可变电流源，根据第一读起动信号产生上述第一电流，根据第二读起动信号产生上述第二电流，由上述副放大器放大了的上述下层的输入输出线的电压信号，被读出到上层的输入输出线上，上述主放大器，放大读出到上述上层的输入输出线上的电压信号，上述时序控制电路，产生上述第一读起动信号和上述第二读起动信号。
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