[发明专利]全湿法去胶方法无效
| 申请号： | 200610117590.1 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101169596A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘金秋;徐云;张擎雪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全湿法去胶方法，包括：同时将多枚硅片浸入敞开式湿法药液槽中，其中所述药液槽中盛有的药液为硫酸和双氧水的混合物；将所述湿法药液槽加盖密闭，并将所述药液加温至180～240℃；当所述多枚硅片都去胶完毕后，对所述密闭的湿法槽药液进行降温。实现了全湿法无灰化去胶，由此避免了灰化损伤，降低了药液的消耗量，节约了成本；而且，减少了集成电路(IC)整体制造的时间，提高了产率并降低资金的投入；实现了良好的去胶效果。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全湿法去胶方法，其特征在于，包括：同时将多枚硅片浸入敞开式湿法药液槽中，其中所述药液槽中盛有的药液为硫酸和双氧水的混合物；将所述湿法药液槽加盖密闭，并将所述药液加温至180～240℃；当所述多枚硅片都去胶完毕后，对所述密闭的湿法槽药液进行降温。
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