[发明专利]基于集成电路制程性能变化建立模型的方法

摘要

本发明公开了一种基于集成电路制程性能变化建立器件模型的方法。首先测量晶圆上所有晶体管的性能数据，对性能数据进行分布统计得到离散最大的一些点所在的晶粒。然后测量所选晶粒中所有晶体管I－V特性得到测量I－V曲线，从测量I－V曲线中抽取模型参数。接下来以此模型参数结合晶体管基础参数输入仿真软件中建模仿真得到仿真I－V曲线，调试模型参数以使得仿真I－V曲线与测量I－V曲线的误差在规定范围内，最后以满足误差要求的模型作为性能分析的模型。本发明建模方法所得模型能够更精确地反映晶圆上器件性能偏离预计值或中间值的范围，从而给设计人员预估生产工艺波动和器件尺寸偏差带来帮助。

主权项

1.基于集成电路制程性能变化建立器件模型的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)采用一片晶圆，测量片上所有器件的性能数据；(2)对步骤(1)所得性能数据进行分布统计；(3)根据分布统计结果，找到所有性能数据偏离预计值或中间值最大的点所代表的器件，并挑选出器件所在的晶粒；(4)测量步骤(3)所选晶粒中所有器件的I-V特性值，得到测量I-V曲线；(5)从测量I-V曲线中提取模型参数作为初始参数；(6)在仿真软件中输入初始参数和器件基础参数进行建模仿真，得到仿真I-V曲线；(7)判定仿真I-V曲线是否满足与测量I-V曲线的误差在允许的误差范围之内的要求；(8)如果步骤(7)的判定结果满足要求，则以步骤(6)所建模型作为分析制程性能变化的模型；(9)如果步骤(7)的判定结果不满足要求，则调试步骤(5)所得初始参数，重复步骤(6)的过程，直到仿真I-V曲线满足步骤(7)所述要求，以满足步骤(7)要求的模型作为分析制程性能变化的模型。