[发明专利]基于集成电路制程性能变化建立模型的方法有效
| 申请号： | 200610116857.5 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154242A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈良成;刘鉴常;包自意;余泳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 集成电路 性能 变化 建立 模型 方法 | ||
1.基于集成电路制程性能变化建立器件模型的方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)采用一片晶圆，测量片上所有器件的性能数据；
(2)对步骤(1)所得性能数据进行分布统计；
(3)根据分布统计结果，找到所有性能数据偏离预计值或中间值最大的点所代表的器件，并挑选出器件所在的晶粒；
(4)测量步骤(3)所选晶粒中所有器件的I-V特性值，得到测量I-V曲线；
(5)从测量I-V曲线中提取模型参数作为初始参数；
(6)在仿真软件中输入初始参数和器件基础参数进行建模仿真，得到仿真I-V曲线；
(7)判定仿真I-V曲线是否满足与测量I-V曲线的误差在允许的误差范围之内的要求；
(8)如果步骤(7)的判定结果满足要求，则以步骤(6)所建模型作为分析制程性能变化的模型；
(9)如果步骤(7)的判定结果不满足要求，则调试步骤(5)所得初始参数，重复步骤(6)的过程，直到仿真I-V曲线满足步骤(7)所述要求，以满足步骤(7)要求的模型作为分析制程性能变化的模型。
2.如权利要求1所述建立器件模型的方法，其特征在于：所述分布统计是根据所述性能数据绘制性能数据分布图。
3.如权利要求1所述建立器件模型的方法，其特征在于：所述仿真软件为Hspice。
4.如权利要求1所述建立器件模型的方法，其特征在于：所述器件为MOS晶体管。
5.如权利要求4所述建立器件模型的方法，其特征在于：所述允许的误差范围为10％。
6.如权利要求4所述建立器件模型的方法，其特征在于：所述性能数据包括MOS晶体管的特征数据和由MOS晶体管构成的反相器的延迟时间。
7.如权利要求4至6任一项所述建立器件模型的方法，其特征在于所述器件基础参数包括参考温度TNOM、MOS晶体管的栅氧化层厚度TOX、源/漏结深XJ以及沟道掺杂浓度NCH。
8.如权利要求6所述建立器件模型的方法，其特征在于：所述特征数据是MOS晶体管的漏极饱和电流Idsat和结电容Cj。
9.如权利要求6所述建立器件模型的方法，其特征在于：所述特征数据包括MOS晶体管的开启电压Vth、最大电导率Gmax、漏极耗尽电流Ioff、以及叠加电容Co。
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