[发明专利]保护非易失性存储器单元免于过度擦除的方法和装置无效
| 申请号： | 200610114852.9 | 申请日： | 2006-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1929030A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 廖意瑛;叶致锴;蔡文哲;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种响应于一擦除指令，保护电荷陷获存储器单元免于过度擦除的方法及装置。擦除电荷陷获存储器单元的方法，包括：响应擦除若干个电荷陷获存储器单元的指令，其中每个电荷陷获存储器单元具有与一个门限电压、一个编程状态及一个擦除状态相关的一个电荷陷获结构：施加一个第一偏压安排，以对该若干个电荷陷获存储器单元中的电荷陷获存储器单元进行编程；以及然后施加一个第二偏压安排，以在该若干个电荷陷获存储器单元建立该擦除状态，其中相较于在该编程状态，该若干个电荷陷获存储器单元中的每个电荷陷获存储器单元的该电荷陷获结构在该擦除状态具有一个较高的净电子电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 非易失性存储器 单元 免于 过度 擦除 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种擦除电荷陷获存储器单元的方法，包括：响应于擦除若干个电荷陷获存储器单元的指令，其中每个电荷陷获存储器单元具有与一个门限电压、一个编程状态及一个擦除状态相关的一个电荷陷获结构：施加一个第一偏压安排，以对该若干个电荷陷获存储器单元中的电荷陷获存储器单元进行编程；以及施加一个第二偏压安排，以在该若干个电荷陷获存储器单元建立该擦除状态，其中相较于在该编程状态，该若干个电荷陷获存储器单元中的每个电荷陷获存储器单元的该电荷陷获结构在该擦除状态具有一个较高的净电子电荷。
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