[发明专利]深亚微米动态存储器的信号放大电路

摘要

本发明为一种深亚微米动态存储器的信号放大电路，其包括动态存储器的存储单元和灵敏放大电路，所述的存储单元由两个电容和两个晶体管组成，所述的灵敏放大电路包括：一交叉耦合放大电路、一位线充电电路以及一开关电路组成，从而构成V_CC双单元DRAM灵敏放大电路、V_CC/2双单元DRAM灵敏放大电路以及GND双单元DRAM灵敏放大电路；所述灵敏放大电路与存储单元中的晶体管源极相连，从而达到稳定、抗干扰能力强的技术效果。

主权项

1.一种深亚微米动态存储器的信号放大电路，其包括动态存储器的存储单元和灵敏放大电路，所述的存储单元由两个电容和两个晶体管组成，单元的数据决定于存储在电容中的电荷，晶体管的开关控制数据的存取；所述的存储单元通过共同的板极连接在一起，灵敏放大电路与存储单元中的晶体管的源极相连，将位线电压的微小改变放大，从而读出数据，其特征在于，所述的灵敏放大电路包括：一交叉耦合放大电路(205)，其是由PMOS晶体管(P5)、(P6)和NMOS晶体管(N15)、(N16)、(N18)组成，其中所述PMOS晶体管(P5)、(P6)的源极相连，所获得的结点与VCC相连，NMOS晶体管(N15)、(N16)的源极相连接，所获得的结点与NMOS晶体管(N18)的漏极相连接，所述NMOS晶体管(N18)的栅极连接控制灵敏放大电路工作的信号(SA)，所述NMOS晶体管(N18)的源极连接地(GND)；一位线充电电路(212)，其由PMOS晶体管(P4)、(P7)组成，所述的PMOS晶体管(P4)、(P7)的源极相连接，所获得的结点与VCC相连，其漏极分别连接位线(BL)、(BL_B)，其栅极分别连接于充电控制信号(PRC_B)；一开关电路(213)，其是由NMOS晶体管(N14)、(N17)组成，所述NMOS晶体管(N14)、(N17)的源极分别连接于位线(BL)、(BL_B)，其漏极分别与数据线(DA)(DA_B)相连接，其栅极连接数据开关控制信号(DAEN)。