[发明专利]制造快闪记忆元件的方法有效
| 申请号： | 200610111536.6 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101071792A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 罗阗轩;吴俊沛 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造具有增加的闸极耦合比的快闪记忆体元件的方法，此方法是先在基底上形成第一半导体层。然后，在所述第一半导体层的顶部上形成半导体间隔层。所述半导体间隔层包括多个凹槽。所述方法提供半导体间隔结构，用以增加所述快闪记忆体元件的浮置闸极与控制闸极之间的接触面积。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 记忆 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造快闪记忆体元件的方法，其特征在于所述快闪记忆体元件包括半导体间隔层，所述半导体间隔层与第一半导体层可操作地接触以形成浮置闸极，所述制造快闪记忆体元件的方法包含：形成所述第一半导体层；在所述第一半导体层的顶部上形成包括多个凹槽的所述半导体间隔层；在所述半导体间隔层的顶部上形成氧化层；以及移除所述氧化层以形成半导体间隔结构，并暴露所述凹槽的每一个的内部表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610111536.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
