[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610110071.2 | 申请日： | 2006-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1909209A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 郭柄湖;张凡秀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底上顺序形成第一导电层、第一绝缘夹层、第二导电层和第二绝缘夹层。在第二绝缘夹层上形成掩模层，然后使用掩模层作为蚀刻掩模，选择性地除去第二绝缘夹层、第二导电层和第一绝缘夹层，以形成露出第一导电层的接触孔。然后选择性地蚀刻在接触孔的侧壁中露出的部分第二导电层，以在第一和第二绝缘夹层之间形成凹陷。接下来，在接触孔的底表面和侧壁上形成第三导电层，形成金属硅化物层以填充凹陷，并形成第四导电层，以填充金属硅化物层之上的接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成第一导电层；在第一导电层上形成第一绝缘夹层；在第一绝缘夹层上形成第二导电层；在第二导电层上形成第二绝缘夹层；在第二绝缘夹层上形成掩模层；使用掩模层作为蚀刻掩模，选择性地除去第二绝缘夹层、第二导电层和第一绝缘夹层，以形成露出第一导电层的接触孔；选择性地蚀刻在接触孔的侧壁中露出的部分第二导电层，以在第一和第二绝缘夹层之间形成凹陷；在接触孔的底表面和侧壁上形成第三导电层；形成填充凹陷的金属硅化物层；以及形成第四导电层，填充接触孔并在金属硅化物层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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