[发明专利]具有随机编程功能的双平面型闪存器件及其编程操作方法有效

专利信息
申请号: 200610108427.9 申请日: 2006-08-02
公开(公告)号: CN101047032A 公开(公告)日: 2007-10-03
发明(设计)人: 朱基锡 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 吕晓章;李晓舒
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种具有随机编程功能的双平面型闪存器件及其编程操作方法。闪存器件包括第一平面、第二平面、第一X-解码器和第二X-解码器。第一平面包括在行方向中连续排列的第一存储块。第二平面包括在行方向中连续排列的第二存储块。第一X-解码器响应第一块寻址信号激活第一存储块之一。第二X-解码器响应第二块寻址信号激活第二存储块之一。被第一存储块的第一X-解码器激活的块不同于被第二存储块的第二X-解码器激活的块。因此,在编程操作期间,具有不同块地址的两个平面的存储块可以被选择和编程。因此,能够增强了闪存器件的操作性能。
搜索关键词: 具有 随机 编程 功能 平面 闪存 器件 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种闪存器件,包括:第一平面,具有在行方向上连续排列的多个第一存储块;第二平面,具有在行方上中连续排列的多个第二存储块;第一X-解码器,用于响应第一块寻址信号来激活所述多个第一存储块中的一个;第二X-解码器,用于响应第二块寻址信号激活所述多个第二存储块中的一个,其中,在编程操作期间,被所述第一X-解码器激活的所述第一存储块的块地址不同于被所述第二X-解码器激活的所述第二存储块的块地址。
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