[发明专利]基底与其布局的方法无效
| 申请号： | 200610108006.6 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101110367A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 梁维安;吴忠儒;薛英杰 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一基底布局方法，其包括定义一第一电镀线在一非传导层上，该第一电镀线耦合至一第一连接垫；以及定义一第二电镀线在该非传导层上，该第二电镀线耦合至一第二连接垫；其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的一方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间一距离会逐渐增加。在另一实施例中，本发明方法包括定义一电镀线在一非传导层上，该电镀线耦合至一第一连接垫；以及定义该非传导层下至少一传导层的一部分传导层用一非传导物质取代，其中被该非传导物质取代的该部分传导层直接位于该电镀线之下。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 与其 布局 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基底布局方法，包括：定义第一电镀线在非传导层上，该第一电镀线耦合至第一连接垫；以及定义第二电镀线在该非传导层上，该第二电镀线耦合至第二连接垫；其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间距离会逐渐增加。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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