[发明专利]薄膜磁头及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610107485.X 申请日: 2006-07-26
公开(公告)号: CN1905013A 公开(公告)日: 2007-01-31
发明(设计)人: 佐藤公宣;佐藤明广;小林弘之 申请(专利权)人: 阿尔卑斯电气株式会社
主分类号: G11B5/60 分类号: G11B5/60;G11B21/21
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈英俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种薄膜磁头及其制造方法,在良好地维持低浮起量的同时,在记录再现操作时可防止元件构造部和记录介质的接触,提高磁头可靠性,能够应对高记录密度化。该薄膜磁头是具有滑块和薄膜磁头元件构造部的浮起式薄膜磁头,该滑块接受在旋转的记录介质表面产生的空气流后,从该记录介质表面浮起,该薄膜磁头元件构造部形成在该滑块的空气流出端面上;在该滑块的记录介质相对面的背面的空气流出端附近设置了热塑变形部,该热塑变形部使该薄膜磁头元件构造部局部地比该滑块的记录介质相对面更离开该记录介质表面。
搜索关键词: 薄膜 磁头 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜磁头,其特征在于,上述薄膜磁头是具有滑块和薄膜磁头元件构造部的浮起式薄膜磁头,上述滑块接受在旋转的记录介质表面产生的空气流后,从该记录介质表面浮起,上述薄膜磁头元件构造部形成在该滑块的空气流出端面上;在上述滑块的记录介质相对面的背面的空气流出端附近设置了热塑变形部,上述热塑变形部使上述薄膜磁头元件构造部的局部比上述滑块的记录介质相对面更离开上述记录介质表面。
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