[发明专利]垂直磁记录介质和磁存储装置无效
| 申请号： | 200610106008.1 | 申请日： | 2006-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101046978A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·阿扬;杉本利夫;稻村良作;金子大树 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/667;G11B5/738;H01F1/01 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种垂直磁记录介质，其能够防止发生广域磁道擦除现象并能够进行高密度记录。该垂直磁记录介质包括：衬底；软磁衬叠层结构，包括依次层叠在该衬底上的第一磁层、第一非磁性耦合层、第二磁层；中间层，位于该软磁衬叠层结构上，并由非磁性材料形成；以及记录层，位于该中间层上，该记录层具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。该第一磁层和该第二磁层由多晶软磁材料形成，该第一磁层和该第二磁层的表面内均具有易磁化轴，并且该第一磁层的磁化与该第二磁层的磁化耦合且彼此反向平行。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，包括：衬底；软磁衬叠层结构，包括依次层叠在该衬底上的第一磁层、第一非磁性耦合层以及第二磁层；中间层，位于该软磁衬叠层结构上，并由非磁性材料形成；以及记录层，位于该中间层上，所述记录层具有垂直于该衬底表面的易磁化轴，其中，该第一磁层和该第二磁层由多晶软磁材料形成，以及该第一磁层和该第二磁层的表面内均具有易磁化轴，并且该第一磁层的磁化与该第二磁层的磁化耦合且彼此反向平行。
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