[发明专利]膜图案的形成方法、器件、电光学装置、电子仪器无效
申请号: | 200610105655.0 | 申请日: | 2006-07-18 |
公开(公告)号: | CN1909207A | 公开(公告)日: | 2007-02-07 |
发明(设计)人: | 平井利充;守屋克之 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/288;H01L21/00;H01L27/00;H05B33/10;H05B33/12;H05K3/10;H05K1/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供将功能液配置在具有宽度不同的几个区域的图案形成区域内的情况下,形成的膜图案之间的膜厚没有差别的膜图案的形成方法。本发明的膜图案的形成方法的特征在于,具有:在基板18上层叠形成第1围堰层35和第2围堰层36的工序;通过将上述第1围堰层35及第2围堰层36图案形成,形成围堰34的工序,所述围堰具有由第1图案形成区域55、和与该第1图案形成区域55连续而且宽度比该第1图案形成区域55宽的第2图案形成区域56构成的图案形成区域13;设置上述围堰34,其中面对上述图案形成区域13的上述第1围堰层35的侧壁35s的接触角对于含有水的功能液是低于50°、上述第2围堰层36的接触角是比上述第1围堰层35的接触角大的角度。 | ||
搜索关键词: | 图案 形成 方法 器件 光学 装置 电子仪器 | ||
【主权项】:
1.一种膜图案的形成方法,将含有H2O的功能液配置在由设在基板上的围堰区分的图案形成区域形成膜图案,该形成方法具有:在基板上配置第1围堰形成材料,形成第1围堰层的工序;在上述第1围堰层上配置第2围堰形成材料,形成第2围堰层的工序;通过对上述第1围堰层及第2围堰层图案形成,形成围堰的工序,所述围堰具有:由第1图案形成区域、和与该第1图案形成区域连续而且宽度比该第1图案形成区域宽的第2图案形成区域构成的图案形成区域;设置上述围堰,其中面对上述图案形成区域的上述第1围堰层的侧壁对上述功能液的接触角低于50°,上述第2围堰层的对于上述功能液的接触角比上述第1围堰层的接触角大的角度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造