[发明专利]一种TFT LCD像素电极结构及驱动电路有效

专利信息
申请号: 200610099227.1 申请日: 2006-07-21
公开(公告)号: CN101109875A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 殷新社 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;G02F1/1343;G02F1/133;G09G3/36
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 100176北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种TFT LCD像素电极结构,其中RGB子像素电极分成面积相等或大致相等A区和B区,子像素A区有一薄膜晶体管漏极与之相连,薄膜晶体管源极连接到驱动该区域的数据线SA,薄膜晶体管的栅极连接到栅线上;子像素B区也有一薄膜晶体管漏极与之相连,薄膜晶体管源极连接到驱动该区域的数据线SB,薄膜晶体管的栅极连接到与A区薄膜晶体管相连的同一栅线上;极性相反电荷的输出电路与A区和B区分别连接。本发明同时还公开一种TFT LCD像素电极驱动电路。本发明减小了由于像素公共电极电压的延迟造成对液晶显示画面的闪烁、颜色偏移、亮度串扰等画面品质的影响,提高了整个显示屏的画面品质。
搜索关键词: 一种 tft lcd 像素 电极 结构 驱动 电路
【主权项】:
1.一种TFT LCD像素电极结构,其特征在于:RGB子像素电极分成面积相等或大致相等的A区和B区,子像素A区有一薄膜晶体管漏极与之相连,薄膜晶体管源极连接到驱动该区域的数据线SA,薄膜晶体管的栅极连接到栅线上;子像素B区也有一薄膜晶体管漏极与之相连,薄膜晶体管源极连接到驱动该区域的数据线SB,薄膜晶体管的栅极连接到与A区薄膜晶体管相连的同一栅线上;极性相反电荷的输出电路与A区和B区分别连接。
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