[发明专利]直流磁控溅射制备纯铝超细晶厚膜的方法无效
| 申请号： | 200610095114.4 | 申请日： | 2006-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1916230A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 张津;杨栋华;欧信兵;麻彦龙 | 申请（专利权）人： | 重庆工学院 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400050重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提出一种直流磁控溅射制备纯铝超细晶厚膜的方法，其步骤如下：选用纯铝靶材，准备并安装衬底，调节靶材与衬底的距离；接着抽真空，净气12－25min，预溅射15－45min；然后溅射沉积，工作气压为0.6－0.8Pa，氩气流量20－40cm3/s，溅射电流0.8－1.6A，溅射电压180－300V；在溅射时间5－15min后暂停沉积，10－30min继续，如此反复，直至获得所需要的厚度的纯铝超细晶厚膜。本方法可获得厚度在2μm以上的纯铝超细晶厚膜，纯铝膜质量较好、厚度较厚、晶粒度小，可作为保护涂层应用于表面工程领域或直接应用于微电子学领域等。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 磁控溅射 制备 纯铝超细晶厚膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种直流磁控溅射制备纯铝超细晶厚膜的方法，其方法步骤如下：①选用纯度大于等于99.99％的纯铝靶材；②准备并安装衬底，调节靶材与衬底的距离至30-80mm；③抽真空，使本底真空度不低于4×10-4Pa；④净气，净气时间为12-25min；⑤预溅射，预溅射时间15-45min；⑥溅射沉积，工作气压为0.6-0.8Pa，氩气流量20-40cm3/s，溅射电流0.8-1.6A，溅射电压180-300V；⑦暂停沉积，在溅射时间5-15min后停止，暂停时间10-30min；⑧再重复溅射沉积，如此反复，直至获得所需要的厚度的纯铝超细晶厚膜；本方法获得厚度在2μm以上的纯铝超细晶厚膜。
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