[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200610094573.0 | 申请日： | 2006-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1913176A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 竹口彻;宫川修 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张天安 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在有机电致发光型显示装置中，作为使各像素的亮度均匀的手段而列举出如下技术，配置用来补偿薄膜晶体管的特性偏差的多个薄膜晶体管以控制电流。但是，在有机电致发光型显示装置中需要控制微弱的电流，仅通过上述补偿并不足以使电流均匀化。本发明所述有机电致发光型显示装置中的薄膜晶体管的特征在于，具有共用了源区域(7b)和漏区域(7c)的多个沟道区域(7a)，且具有它的图形端加工成锥形状的多晶硅膜(7)，进而还具有如下特征，各沟道区域(7a)的沟道宽(W)为5μm以上30μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，在绝缘性基板上，包括：半导体膜，具有包含了杂质的导电性区域和夹在上述导电性区域内的沟道区域；绝缘膜，与上述半导体膜接触而扩开地形成；栅电极，隔着上述绝缘层与上述沟道区域相对置；源电极和漏电极，与上述导电性区域连接；其特征在于，上述沟道区域形成有多个，各沟道宽为5μm以上、30μm以下。
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