[发明专利]一种非易失性存储器的编程与擦除方法无效
| 申请号： | 200610093035.X | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101000801A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 黄文谦;王立中;林信章;张浩诚 | 申请（专利权）人： | 亿而得微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于非易失性存储器的高速低电压编程及自收敛高速低电压擦除方法。对于以N型场效晶体管为基础的非易失性存储器的编程，一升高的源极电压加至衬底以达到高效率的漏极雪崩热电子注入于浮栅内导致高速及低压操作。通过施加漏极雪崩热空穴注入伴随最大漏极电流及调整控制栅电压以足够开启N型场效晶体管，达到自收敛与低电压擦除。对于以P型场效晶体管为基础的电可擦写型非易失性存储器编程状态，则一相对于衬底为负源极电压以达到高效率漏极崩溃热空穴注入于浮栅内导致高速及低电压操作。通过施加漏极崩溃热电子注入伴随最大漏极电流及调整负控制栅电压以足够开启P型场效晶体管，达到自收敛与低电压擦除。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 编程 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器的编程与擦除方法，其特征是，该方法包括：施加正源极电压于源极上，以产生相对于衬底的逆向偏压于源极与衬底界面处；以及分别施加第一与第二正电压于控制栅与漏极。
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