[发明专利]制造CMOS图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200610091223.9 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1877818A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 全寅均 | 申请（专利权）人： | 东部电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造CMOS图像传感器的方法，该制造方法包括：在具有由光电二极管区和晶体管区限定的有源区的半导体衬底的晶体管区形成栅电极，一栅绝缘层插在所述晶体管区和栅电极之间；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第一杂质区；在栅电极两侧形成第一侧壁和第二侧壁；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第二杂质区；将光刻胶层涂布在半导体衬底上，并且通过曝光和显影工艺对该光刻胶层进行构图以覆盖晶体管区；使用构图的光刻胶作为掩模，在光电二极管区形成导电型的第三杂质区；使用构图的光刻胶层作为掩模，有选择地去除预定厚度在第二侧壁绝缘层和栅电极之间的第一侧壁绝缘层；通过在预定温度下回流构图的光刻胶层来覆盖栅电极；使用回流的光刻胶层作为掩模有选择地去除第二侧壁绝缘层；以及使用回流的光刻胶层作为掩模，在栅电极形成有第三杂质区的的一侧形成第一导电类型的第四杂质区。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 cmos 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造CMOS图像传感器的方法，包括：在具有由光电二极管区和晶体管区限定的有源区的半导体衬底的晶体管区形成栅电极，一栅绝缘层插在所述晶体管区和栅电极之间；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第一杂质区；在栅电极两侧形成第一侧壁和第二侧壁；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第二杂质区；将光刻胶层涂布在半导体衬底上，并且通过曝光和显影工艺对该光刻胶层进行构图以覆盖晶体管区；使用构图的光刻胶作为掩模，在光电二极管区形成导电型的第三杂质区；使用构图的光刻胶层作为掩模，有选择地去除预定厚度在第二侧壁绝缘层和栅电极之间的第一侧壁绝缘层；通过在预定温度下回流构图的光刻胶层来覆盖栅电极；使用回流的光刻胶层作为掩模有选择地去除第二侧壁绝缘层；以及使用回流的光刻胶层作为掩模，在栅电极形成有第三杂质区的一侧形成第一导电类型的第四杂质区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部电子有限公司，未经东部电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610091223.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
