[发明专利]碳纳米管结构及其成形方法无效
| 申请号： | 200610089816.1 | 申请日： | 2006-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1868871A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 郑太远;许廷娜;李晶姬;朴相铉 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管结构以及使该碳纳米管结构成形的方法。该碳纳米管结构包括衬底、形成在该衬底上且以预定形状成形的碳纳米管、以及形成在该碳纳米管的表面上从而将该碳纳米管保持在所述预定形状的金属层。该碳纳米管结构具有高的纯度和改进的电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 及其 成形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管结构，包括：衬底；碳纳米管，其形成在该衬底上且以预定形状成形；以及金属层，其形成在该碳纳米管的表面上从而将该碳纳米管保持在所述预定形状。
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