[发明专利]含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极及其制备方法无效
| 申请号： | 200610089745.5 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1889221A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王金淑;刘伟;周美玲;王亦曼;高涛;李莉莉 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01J1/14 | 分类号： | H01J1/14;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。含钪扩散阴极是一种具有低温大发射特性的热阴极材料，但是氧化钪价格昂贵，导致阴极成本过高，因此没有获得实际应用。本发明一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极，含有稀土氧化物Y2O3和Sc2O3的复合组分或者稀土氧化物Eu2O3和Sc2O3的复合组分，其中所述稀土氧化物的复合组分占最终得到的掺杂钨粉总质量的3－10％。本发明制备的一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极的电流密度电流密度高达近40A/cm2，远高于同温度下钡钨阴极的电流密度，达到了器件对阴极电流密度的要求，并大大降低了原料成本，具有显著的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 稀土 掺杂 扩散 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极，其特征在于：含有稀土氧化物Y2O3和Sc2O3的复合组分或者稀土氧化物Eu2O3和Sc2O3的复合组分，其中所述稀土氧化物的复合组分占最终得到的掺杂钨粉总质量的3-10％，其中Sc2O3的质量百分含量为1-3％，Y2O3或Eu2O3的质量百分含量为2-7％，其余为钨粉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610089745.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锅炉烟火示迹管
- 下一篇：基于RbAg4I5薄膜的非挥发记忆元件及其制备方法
