[发明专利]利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控纳米点阵列的方法

摘要

利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控纳米点阵列的方法，本发明公开了属于纳米光刻领域的使用反相纳米球模板制备密度和单元尺寸可控的纳米点阵列的方法。先通过单分散核壳结构纳米球的自组装，得到单层规则密排的纳米球模板。通过选择性溶解的方法获得反相多孔阵列。利用反应离子刻蚀技术，对模板中的反相孔进行修饰获得贯穿的沉积通道。然后通过薄膜制备技术在模板上沉积一层薄膜，并在选择性溶剂中溶解多孔模板，得到规则排列的圆形纳米点阵列。通过与不同材料薄膜制备技术的结合，应用本纳米点阵列的制备方法可以制备出不同材料的高密度、尺寸可控点阵列，可用于基于纳米点阵列的器件制备和性能优化。

主权项

1.一种利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控纳米点阵列的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1)利用提拉法在硅片上进行单分散核壳结构纳米球自组装，形成单层规则密排的纳米球阵列；2)将步骤1)中的单层规则密排的纳米球阵列置于选择性溶剂中，控制环境温度0～80℃，溶解时间0.5～30min，取出干燥获得反相多孔阵列模板；3)将反相多孔阵列模板置于反应离子刻蚀机内，充入反应气体，刻蚀气压为5～50Pa，功率5～30W，刻蚀时间0.5～30分钟，获得贯穿多孔模板；4)在贯穿多孔模板上沉积一层金属、合金、半导体或氧化物薄膜，其厚度为20～100nm；5)将蒸镀后的多孔模板置于清洗溶剂中超声清洗5～60min，取出后，用丙酮、酒精、去离子水按顺序清洗，获得纳米点阵列。