[发明专利]钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片薄膜电极材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200610089091.6 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1917108A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 杨文胜;王毅;段雪 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;C01G1/04;C01G51/02;C01F7/00;H01M4/00;H01M14/00;B82B1/00;B82B3/00;B01J19/00 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高取向钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片薄膜电极材料及其制备方法，属于薄膜超级电容器电极材料及其制备技术领域。该薄膜电极材料是由钴铝双羟基复合金属氧化物的纳米片平行于导电基片层层堆积而成，层间有阴离子平衡电荷。该薄膜电极材料的制备方法是：将甘氨酸插层的钴铝双羟基复合金属氧化物在甲酰胺中进行剥层，获得钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片溶胶，然后将该溶胶浇注到预先处理好的表面带负电荷的导电基片上，通过蒸发溶剂制备出钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片薄膜。优点在于：该薄膜可以用作薄膜超级电容器的电极材料，比电容高、倍率特性好、电化学循环性能佳。 | ||
| 搜索关键词： | 钴铝双 羟基 复合 金属 氧化物 纳米 薄膜 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高取向钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片薄膜电极材料，其特征在于：由钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片平行于导电基片层层堆积而成，钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片的化学组成式为[Co2+ 1-xAl3+ x(OH)2]x+，其中0.20≤x≤0.33；层间有阴离子平衡电荷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学，未经北京化工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610089091.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体激光器驱动方法和光盘设备
- 下一篇：图像记录装置
