[发明专利]荷电衬度成像的方法无效

专利信息
申请号: 200610088992.3 申请日: 2006-07-28
公开(公告)号: CN1888881A 公开(公告)日: 2007-01-03
发明(设计)人: 吉元;张隐奇;权雪玲;徐学东;傅景永;王丽;刘翠秀 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01N23/04 分类号: G01N23/04;G01N13/10;H01J37/28;G02B21/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人: 张慧
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摘要: 发明涉及在扫描电子显微镜中荷电衬度成像的方法,应用于电子显微分析技术中。采用高真空扫描电镜时,绝缘样品采用加速电压10~30kV,导体和非导体材料合成的复合颗粒和多层膜采用加速电压25~30kV,入射电流选10-10~10-11A,扫描速率选6~80s/帧;当样品室真空度达到1×10-4Pa或其以上时,使入射电子在样品表面扫描,并保存二次电子像;采用环境扫描电镜时,成像操作条件同高真空扫描电镜,样品室的压力要低于通常荷电补偿用的压力,绝缘材料为13~90Pa,含水及生物材料为400~500Pa。利用本发明,可以观察到样品局域在导电、介电、应力等性能方面存在的差异,及微观结构和成分分布的特征。
搜索关键词: 荷电衬度 成像 方法
【主权项】:
1、荷电衬度成像的方法,其特征在于:是通过如下步骤实现的:在采用高真空扫描电镜成像的情况下:1)选择成像操作条件:包括加速电压、入射电流、扫描速率;绝缘样品选用加速电压的范围为10kV~30kV,由导体和非导体材料合成的复合颗粒和多层膜样品选用加速电压的范围为25kV~30kV,入射电流选用10-10~10-11A,扫描速率选择6s/帧~80s/帧;2)将样品放入扫描电镜样品室中,使样品与样品台良好接地,然后抽真空;当样品室真空度达到1×10-4Pa或1×10-4Pa以上时,给电子枪施加加速电压,产生入射电子在样品表面扫描,采用闪烁体-光电倍增管二次电子探头接收二次电子,并保存二次电子像;在采用环境扫描电镜成像的情况下:1)选择成像操作条件,同高真空扫描电镜;2)选择样品室的环境压力条件;压力要低于通常荷电补偿所采用的压力,绝缘材料采用低真空模式,在13Pa~90Pa的范围成像;含水及生物材料采用环境真空模式,在400Pa~500Pa的范围成像;3)将样品放入环境扫描电镜中,使样品与样品台良好接地,然后抽真空;当样品室真空度达到上述设定值后,给ESEM电子枪施加加速电压,产生入射电子在样品表面扫描,采用气体二次电子探头接收二次电子,并保存二次电子像。
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