[发明专利]一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法有效
| 申请号： | 200610083996.2 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101089545A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王琴;王丛舜;龙世兵;刘明;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02;G01N13/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及量子信息技术领域，特别是一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法。在SOI衬底上制作双端固支梁和单电子晶体管，利用纳米尺度的双端固支梁作为敏感元件，再用射频单电子晶体管作为传感元件，形成快速超灵敏位移传感器。充分利用射频单电子晶体管的高灵敏度的特性(电荷灵敏度可达10－5eHz－1/2)，形成快速超灵敏位移传感器。这种基于SOI衬底材料的快速超灵敏位移传感器具有极高的位移灵敏度，可达10－5nm，同时也具有很高的工作频率，可达几百MHz。这种快速超灵敏位移传感器可为量子测量提供一种有效的解决方法，可为量子信息技术的发展作出贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 电子 晶体管 位移 传感器 设计 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于SOI衬底的射频单电子晶体管的快速超灵敏位移传感器的设计方法，其特征在于，在SOI衬底上制作双端固支梁和单电子晶体管，利用纳米尺度的双端固支梁作为敏感元件，再用射频单电子晶体管作为传感元件，形成快速超灵敏位移传感器。
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