[发明专利]半导体器件的检查装置有效

专利信息
申请号: 200610083354.2 申请日: 2006-06-06
公开(公告)号: CN1877341A 公开(公告)日: 2006-12-13
发明(设计)人: 宫川末晴;池边亮司 申请(专利权)人: STK技术株式会社
主分类号: G01R1/02 分类号: G01R1/02;G01R31/26;G01R31/28
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 代理人: 刘激扬
地址: 日本国大分县大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的课题在于提供一种谋求半导体器件的试验成本降低的检查装置。该检查装置包括可接纳于腔内的试验板;凹座,多个凹座安装于试验板的第1主面上,在该凹座上装载有构成试验对象的半导体器件;器件试验机构,多个器件试验机构安装于试验板中的第2主面上,将规定的试验信号输入半导体器件中,并且根据对应于该试验信号,从半导体器件输出的输出信号,进行半导体器件的评价;对器件试验机构进行冷却的放热基板;在腔内部对装载于凹座上的半导体器件进行加热,并且通过放热基板,对器件试验机构进行冷却,与此同时,进行半导体器件的老化试验(Burn in test)和特性试验。
搜索关键词: 半导体器件 检查 装置
【主权项】:
1.一种半导体器件的检查装置,其特征在于:该半导体器件的检查装置包括:腔;可接纳于该腔内的试验板;凹座,多个凹座安装于上述试验板的第1主面上,在该凹座上装载有构成试验对象的半导体器件;器件试验机构,多个器件试验机构安装于上述试验板中的与上述第1主面相反一侧的第2主面上,将规定的试验信号输入1个或多个上述半导体器件,并且根据对应于该试验信号,从上述半导体器件输出的输出信号,进行上述半导体器件的评价;对上述器件试验机构进行冷却的冷却机构;在上述腔内部对装载于上述凹座上的上述半导体器件进行加热,并且通过上述冷却机构,对上述器件试验机构进行冷却,与此同时,进行上述半导体器件的老化试验和特性试验。
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