[发明专利]防磁头隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法及微纹形成方法有效
| 申请号： | 200610081900.9 | 申请日： | 2006-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101075437A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 马洪涛;方宏新;陈宝华 | 申请（专利权）人： | 新科实业有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止磁头之隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由若干磁头结构的本体构成的磁条定位在一托盘上，每一磁头结构的本体具有一极尖，极尖具有一隧道磁电阻元件；将所述托盘装入处理室，抽空处理室至预设的压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体；及将所述磁头结构的本体暴露在处理气体中的蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面氧化而形成一层氧化层。该氧化层阻止隧道磁电阻元件的电路形成分路，防止磁阻阻抗降低，从而改善磁头的动态性能及磁盘驱动装置的读取性能。本发明同时公开了在上述方法中在磁头表面形成微纹的方法，还公开了磁头的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁头 隧道 磁电 磁阻 阻抗 降低 方法 形成 | ||
【主权项】：
1.一种防止磁头之隧道磁电阻(TMR)的磁阻阻抗(MRR)降低的方法，其特征在于包括下列步骤：(a)将由若干磁头结构的本体构成的磁条(row bar)定位在一托盘上，每一磁头结构的本体具有一极尖(pole tip)，极尖具有一隧道磁电阻元件(TMR element)；(b)将所述托盘装入处理室，抽空处理室至预设的压强；(c)向所述处理室引入包含氧气的处理气体；及(d)将所述磁头结构的本体暴露在处理气体中的蚀刻手段(etchingmeans)中，使隧道磁电阻元件表面氧化而形成一层氧化层。
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