[发明专利]液晶显示器的制造方法有效
申请号: | 200610075769.5 | 申请日: | 2006-04-26 |
公开(公告)号: | CN1831601A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 施明宏 | 申请(专利权)人: | 广辉电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 何春兰 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种液晶显示器的制造方法,包含下列步骤:首先于具有彩色滤光层的彩色滤光基板上形成源/漏极及下电极。在源/漏极之上分别形成接合区,并于源/漏极之间形成通道区,闸介电层与栅极形成于接合区及通道区之上。此外,复于下电极之上形成多个堆叠层及上电极。接着,于彩色滤光基板的彩色滤光层上方形成像素电极,像素电极是电性连接源/漏极其中之一与下电极。以背后曝光的方式将覆盖于源/漏极、栅极、上电极与下电极上的保护层图案形成于彩色滤光基板上。接着,于彩色滤光基板上方形成与该彩色滤光基板平行且具有共通电极的上基板。于上基板与彩色滤光基板之间注入液晶。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示器的制造方法,至少包含下列步骤:提供一彩色滤光基板,具有彩色滤光层;连续形成第一导体层与掺杂半导体层于该彩色滤光基板上;图案化该掺杂半导体层与该第一导体层,以于该彩色滤光基板上分别形成源/漏极及下电极;连续形成半导体层、介电层及第二导体层于该源/漏极、下电极及该彩色滤光基板上;图案化该第二导体层、该介电层、该半导体层及该掺杂半导体层,以于该源/漏极上分别形成接合区、于该源/漏极之间形成通道区、于该接合区及该通道区上形成闸介电层与栅极,并于该下电极之上形成电容器接合区、电容器半导体层、电容器介电层及上电极;于该彩色滤光层上方形成像素电极,该像素电极是电性连接该下电极及该源/漏极其中之一;形成一保护层于该彩色滤光基板上;利用背后曝光制程,于该源/漏极、该栅极、该上电极与该下电极之上形成保护层图案;提供另一基板,具有共通电极,位于该彩色滤光基板上方;以及于该彩色滤光基板与该另一基板之间形成液晶层。
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