[发明专利]输出入电路装置无效
| 申请号： | 200610074387.0 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1893275A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 安井孝俊 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 使连接工作电压不同的半导体装置的输出入电路装置在高电压的情况下具有充分地热载流子承受力。输出入电路装置(10)，具有形成在半导体衬底(101)上的，栅极(105)接收输入信号，源极扩散层(106)接地，漏极扩散层(107)与内部节点(Vc)连接的拉曳晶体管(Q1)，和栅极(115)接收电源电压(VDD)，源极漏极扩散层(116)之一与输出入节点(V0)连接，源极漏极扩散层(116)的另外之一与内部节点(Vc)连接的级联晶体管(Q2)。级联晶体管(Q2)的衬底电压，使其成为未接地状态。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种输出入电路装置，包括：第一晶体管，形成在衬底上，第一栅极接收输入信号，第一源极漏极之一与第一电源端子连接，上述第一源极漏极的另外之一与内部节点连接，和第二晶体管，形成在上述衬底上，第二栅极与第二电源端子连接，第二源极漏极之一与输出入节点连接，上述第二源极漏极的另外之一与上述内部节点连接，其特征为：上述第二晶体管的衬底电位，成为未接地状态。
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