[发明专利]增强的含氧化物溅射靶合金组合物无效
| 申请号： | 200610067822.7 | 申请日： | 2006-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1880501A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·吉恩·拉辛;阿尼班·达斯;史蒂文·罗杰·肯尼迪;郑京 | 申请（专利权）人： | 黑罗伊斯公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;G11B5/62;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林潮;樊卫民 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其包括钴(Co)、铂(Pt)、单组分氧化物或多组分氧化物，以及单体金属添加剂。该单体金属添加剂具有大于－0.03电子伏特的还原电势，并且在室温下与钴(Co)基本上不相溶。该单体金属添加剂为铜(Cu)、银(Ag)或金(Au)，且溅射靶还含有铬(Cr)和/或硼(B)。该溅射靶含有2－10原子％的铜(Cu)、银(Ag)或金(Au)或其它单体金属添加剂。因此，该增强的溅射靶通过磁晶各向异性的增强和晶粒－晶粒隔离的增加使得热稳定性和SNR得到了显著的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 氧化物 溅射 合金 组合 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，该溅射靶含有钴(Co)、铂(Pt)、单组分氧化物和单体金属添加剂，其中该单体金属添加剂具有大于-0.03电子伏特的还原电势，并且在室温下与钴(Co)基本上不相溶。
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