[发明专利]用于石英光掩模等离子体蚀刻的方法无效
| 申请号： | 200610067442.3 | 申请日： | 2006-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101046634A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·艾伦·安德森;艾杰伊·库马 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/26;G03F1/14;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻石英的方法。在一实施例中，一种蚀刻石英的方法包含：在一蚀刻反应室中提供一薄膜叠层，该薄膜叠层具有一石英层，其中该石英层透过一图案化层部分暴露；提供至少一种氟碳工艺气体至一工艺反应室中；以多个低于600瓦的功率脉冲偏压石英层，其中该石英层系配置在该工艺反应室中的一衬底支撑上；并透过一图案化光掩模来蚀刻石英层。在此所述的蚀刻石英的方法特别适于用来制造具有经蚀刻的石英部分的光掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 石英 光掩模 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻石英的方法，其至少包含：在设置在一蚀刻反应室中的一衬底支撑上提供一薄膜叠层，所述薄膜叠层具有一石英层，其中所述石英层透过一图案化层部分暴露；提供至少一种氟碳工艺气体至所述工艺反应室中；以多个低于600瓦的功率脉冲偏压所述石英层，其中所述石英层配置在所述工艺反应室中的所述衬底支撑上；以及透过所述图案化层来蚀刻所述石英层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610067442.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
