[发明专利]碳材料的制造方法、碳材料以及电子元件的制造方法无效
| 申请号： | 200610065567.2 | 申请日： | 2006-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101041427A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;付磊;刘云圻 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳材料的制造方法，该方法可以选择性地除去作为杂质被包含在碳纳米管等碳材料中的无定形碳、金属微粒等而不带给该碳材料损害地进行提纯。通过将碳纳米管等的碳材料，保持在包含水蒸气和/或氯化氢的气氛中，而进行提纯。包含水蒸气和/或氯化氢的气氛加热到例如250℃～650℃的温度、或照射紫外线等的电磁波，压力为例如0.1大气压～10大气压。保持时间为例如10分钟～10个小时。还可以在CVD装置的反应室中使碳材料生长，接着在这个反应室中进行碳材料的提纯。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 制造 方法 以及 电子元件 | ||
【主权项】：
1.一种碳材料的制造方法，其特征在于，通过将碳材料保持在包含水蒸气和/或氯化氢的气氛中，而进行提纯。
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