[发明专利]芯片型电感器无效

专利信息
申请号: 200610063643.6 申请日: 2006-12-29
公开(公告)号: CN101017727A 公开(公告)日: 2007-08-15
发明(设计)人: 金星一;赵日济;严载贤;金斗一;徐钟高 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01F17/04 分类号: H01F17/04;H01F41/00;H01L27/01
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 夏凯;钟强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种芯片型电感器,包括:内部磁性材料;外部磁性材料,其被布置在该内部磁性材料的相对的侧上;以及导电体,其形成在该内部和外部磁性材料之间的间隔中。该内部和外部磁性材料形成磁路,由沿该导电体流动的电流所产生的磁场的磁通量沿该磁路流动。根据至少一个实施例,在该内部磁性材料中磁通量的流截面积至少基本等于该外部磁性材料中流截面积之和。
搜索关键词: 芯片 电感器
【主权项】:
1.一种芯片型电感器,包括:磁性材料主体,其包括内部磁性材料、被布置成以预定的间隔与该内部磁性材料的相对的横向侧相对的外部磁性材料、以及设置在该内部和外部材料的顶部和底部表面上以与内部和外部磁性材料连接的底部和顶部磁性材料;非磁性材料,其以这样的方式填充该内部和外部磁性材料之间的间隔,使得该非磁性材料与该内部和外部磁性材料协同形成单一的层;以及导电图形,其形成在该非磁性材料中,以便围绕该内部磁性材料多次,其中该内部磁性材料和与该内部磁性材料的相对的横向侧相对的外部磁性材料形成磁路,由沿该导电图形流动的电流所产生的磁场的磁通量沿该磁路流动,并且在该内部磁性材料中磁通量的流截面积至少基本等于该外部磁性材料中流截面积之和。
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