[发明专利]一种逻辑电路设计中的RAM例化方法及装置无效
| 申请号： | 200610063298.6 | 申请日： | 2006-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1945585A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李小波 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 易钊;郭伟刚 |
| 地址： | 518129广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种逻辑电路设计中RAM例化方法，包括以下步骤：(a)读取逻辑电路设计代码，获取代码中标识RAM单元的参数组；(b)通过所述参数组在综合库封装文件中查找到与所述参数组对应的RAM单元名，所述综合库封装文件中的RAM单元名与综合库中的RAM单元相对应；(c)根据所述RAM单元名选择综合库中对应的RAM单元进行输入输出管脚的连接。本发明还提供了一种对应的逻辑电路设计中RAM例化装置及一种对应的生成逻辑电路的系统。本发明通过使用统一的综合库封装文件，避免了RAM名冲突，并减少了RAM封装文件的设计和维护工作量，提高了设计效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逻辑 电路设计 中的 ram 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种逻辑电路设计中的RAM例化方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)读取逻辑电路设计代码，获取代码中标识RAM单元的参数组；(b)通过所述参数组在综合库封装文件中查找到与所述参数组对应的RAM单元名，所述综合库封装文件中的RAM单元名与综合库中的RAM单元相对应；(c)根据所述RAM单元名选择综合库中对应的RAM单元进行输入输出管脚的连接。
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