[发明专利]单壁碳纳米管的生长方法有效
| 申请号： | 200610061618.4 | 申请日： | 2006-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101104513A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 郑直;姚湲;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种单壁碳纳米管的生长方法，主要包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成一氧化铟锡电极，氧化铟锡电极的厚度为5纳米～100纳米；在氧化铟锡电极上沉积一铝过渡层，铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米；在铝过渡层上沉积一催化剂层，催化剂层的厚度为3纳米～10纳米；将沉积有催化剂层、铝过渡层和氧化铟锡电极的基底放置在空气中，在300℃～500℃下热处理10分钟～12小时，催化剂层经退火后形成氧化颗粒；将基底放置在反应装置中，在反应装置内通入保护气体，在保护气体的保护下加热至640℃～900℃；以及通入碳源气与保护气体的混合气体，加热至640℃～900℃反应30分钟～60分钟生长出单壁碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 单壁碳 纳米 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单壁碳纳米管的生长方法，该生长方法主要包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成一氧化铟锡电极，氧化铟锡电极的厚度为5纳米～100纳米；在氧化铟锡电极上沉积一铝过渡层，铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米；在铝过渡层上沉积一催化剂层，催化剂层的厚度为3纳米～10纳米；将沉积有催化剂层、铝过渡层和氧化铟锡电极的基底放置在空气中，在300℃～500℃下热处理10分钟～12小时，催化剂层经退火后形成氧化颗粒；将基底放置在反应装置中，在反应装置内通入保护气体，在保护气体的保护下加热至640℃～900℃；以及通入碳源气与保护气体的混合气体，加热至640℃～900℃反应30分钟～60分钟生长出单壁碳纳米管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610061618.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可检测断路器工作状态的分励脱扣器
- 下一篇：一种新型防反水防臭地漏
