[发明专利]缩小关键尺寸的方法无效
| 申请号： | 200610059186.3 | 申请日： | 2006-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1866130A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张圣岳;吴得鸿;黄国俊 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种缩小关键尺寸的方法，其是对于光致抗蚀剂层进行一曝光工艺以及一显影工艺，其特征在于：于曝光工艺与显影工艺之间进行一光学修剪曝光工艺或是于曝光工艺之前，先进行此一光学修剪曝光工艺。其中光学修剪曝光工艺是采用一全开光掩模对光致抗蚀剂层进行曝光，而全开光掩模的透过率大于0。由于本发明采用光学修剪曝光工艺，可以大幅地缩小光致抗蚀剂层的关键尺寸，且不会影响光致抗蚀剂层的性质，因此有利于后续的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 缩小 关键 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
1.一种缩小关键尺寸的方法，包括对一光致抗蚀剂层进行一曝光工艺以及一显影工艺，其特征在于：于该曝光工艺与该显影工艺之间进行一光学修剪曝光工艺，其中该光学修剪曝光工艺是采用一全开光掩模对该光致抗蚀剂层进行曝光，而该全开光掩模的透过率大于0。
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