[发明专利]形成含硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 200610054925.X | 申请日： | 2006-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1824605A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 贝野由利子;亀井隆広 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 描述了一种在基片表面形成含硅薄膜的方法。在该方法中，将环戊硅烷溶液填入一个槽中，使该槽的内壁表面和环戊硅烷溶液相互接触。随后，从点式UV辐射器辐照光，使光通过槽壁辐照在内壁表面一个区域附近的环戊硅烷溶液上，从而在该区域形成含硅薄膜。因此，通过减少步骤，无需通过热处理来形成含硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基片表面形成含硅薄膜的方法，该方法包括：在包含含硅化合物的溶液和所述基片相互接触的条件下，光辐照该包含含硅化合物的溶液，所述含硅化合物的主链由硅组成，在所述基片和所述溶液之间的接触表面的光辐照区域形成含硅薄膜。
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