[发明专利]通过掺杂V改善TiN薄膜导电性能的方法

摘要

本发明公开一种通过掺杂V改善TiN薄膜导电性能的方法。方法步骤如下：1)用10％的氢氟酸清洗玻璃基板；2)将玻璃基板放入反应室中，反应室抽真空，并通入N₂对反应室进行清洗；3)将反应室加热至450－700℃；4)将TiCl₄、VCl₄、NH₃和N₂反应气体通入反应室，其中TiCl₄的流量为100－250sccm、VCl₄的流量为50－200sccm，NH₃的流量为150sccm，N₂的流量为900sccm，反应室的压强为－0.02MPa，在450－700℃的温度条件下进行沉积，反应时间为60～150s，反应完毕后，停止通入气体，冷却即可。本发明制备得到的薄膜中，由于V的掺入改变了TiN薄膜的能带结构，进而改善了TiN薄膜的导电性能。且本发明使用的设备和方法较为简单，制备得到的薄膜均匀性良好，具有阳光控制功能。

主权项

1.一种通过掺杂V改善TiN薄膜导电性能的方法，其特征在于方法步骤如下：1)用10％的氢氟酸清洗玻璃基板；2)将玻璃基板放入反应室中，反应室抽真空，并通入N2对反应室进行清洗；3)将反应室加热至450-700℃；4)将TiCl4、VCl4、NH3和N2反应气体通入反应室，其中TiCl4的流量为100-250sccm、VCl4的流量为50-200sccm，NH3的流量为150sccm，N2的流量为900sccm，反应室的压强为-0.02MPa，在450-700℃的温度条件下进行沉积，反应时间为60～150s，反应完毕后，停止通入气体，冷却即可。