[发明专利]一种氧化铜纳米线阵列定域生长方法有效
| 申请号： | 200610034006.6 | 申请日： | 2006-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1843932A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;陈军;张思密;邓少芝;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种定域生长氧化铜纳米线阵列的方法。首先采用光刻或荫罩掩模依次在衬底上的特定区域内制备过渡层薄膜和铜薄膜，然后将其在氧气、空气或含有氧气的混合气体气氛下加热至350～700℃，并保温5分钟～6小时，最后降温。本方法不使用任何催化剂，可以方便地在衬底的所需的区域内制备出氧化铜纳米线阵列。制备出的氧化铜纳米线阵列可应用于显示器件、电光源、光电转换和热电转换器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铜 纳米 阵列 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化铜纳米线阵列定域生长方法，其特征在于：按照以下步骤进行：(1)清洗衬底，除去衬底上的杂质；(2)依次在衬底上定域制备过渡层薄膜和铜薄膜；(3)在有氧气的气体气氛下加热至350～700℃，并保温5分钟～6小时，最后降温。
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