[发明专利]一种碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610030924.1 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1936082A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 崔晓莉;陆俊;顾海杰;陈鹏;沈杰 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C25D11/02;B01J21/06;B01J35/02;B01J37/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于化工技术领域，具体涉及一种具有光电活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法。该方法以碳化钛为原料，经过阳极氧化制备得碳掺杂纳米二氧化钛薄膜，其中输入电压为10～20V，氧化时间为1～3小时，在通电过程中，表面的碳化钛被氧化形成含C的TiO2薄膜。本发明方法制备的含C的TiO2薄膜具有多孔的纳米结构，并具有典型的n型半导体的特征，具有高的光电活性，可在太阳能电池、光分解水制氢等方面具有应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 纳米 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于以碳化钛薄膜为原材料，经过阳极氧化制备得碳掺杂纳米二氧化钛薄膜，具体步骤是，使用一直流稳压电源或恒电位仪，其正极与碳化钛薄膜连接，负极与对电极石墨连接，调节直流稳压电源的输入电压为10～20V，控制氧化时间为1～3小时，电解液采用含0.5wt％NH4F的0.5M～1M(NH4)2SO4 溶液；氧化过程中对溶液进行磁力搅拌，在通电的过程中，表面的碳化钛被氧化形成含C的TiO2薄膜。
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