[发明专利]碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法有效
| 申请号： | 200610030080.0 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1908214A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王连军;张建峰;江莞;陈立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C22C29/06 | 分类号： | C22C29/06;C22C1/05;B22F9/04;B22F3/14 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法，其特征在于所制备的梯度材料一端是单相Ti3SiC2，另一端为Ti3SiC2－TiC或SiC－TiC相，中间至少一层，制备方法是按组成，选择Ti、Si、C和Al为原料，混和后放电等离子原位反应烧结，烧结温度为1200－1500℃，升温速率为80－200℃/min，压力为50－70MPa，保温6－10分钟。本发明特征在于使用商用粉体为原料，采用SPS原位反应烧结，反应时间短，能耗低，具有良好的产业化前景。 | ||
| 搜索关键词： | 碳硅化钛基 梯度 材料 原位 反应 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碳硅化钛基梯度材料，其特征在于：(1)所制备的碳硅化钛基梯度相材料一端是单相Ti3SiC2，另一端是Ti3SiC2-TiC，中间至少一层，满足化学式 0≤x＜1；(2)所制备的碳硅化钛基梯度材料一端是单相Ti3SiC2，另一端为SiC-TiC相，中间至少一层，满足化学式 0≤x≤1，且当x＝1时， 。
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