[发明专利]防止高压器件电荷的方法及STI结构无效
| 申请号： | 200610029700.9 | 申请日： | 2006-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101118867A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陆涵蔚;李建文;李健;刘春玲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L27/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止高压器件电荷的方法，在STI刻蚀之后，首先，生长一层厚度为100～180埃的热氧化硅，温度为900～1000℃；然后生长一层42～90埃的氮化硅，温度为700～750℃；接着生长一层100埃的氧化硅衬垫；再用HDP CVD淀积一层氧化硅填充层；最后采用CMP对STI平坦化。本发明还公开了采用上述方法制成的STI结构。本发明可以提高器件在高压条件下的稳定性，减小电荷对高压器件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 高压 器件 电荷 方法 sti 结构 | ||
【主权项】：
1.一种防止高压器件电荷的方法，包括如下步骤：在STI刻蚀之后，首先，生长一层厚度为100～180埃的热氧化硅，温度为900～1000℃；其特征在于：然后生长一层42～90埃的氮化硅，温度为700～750℃；接着生长一层100埃的氧化硅衬垫；再用HDP CVD淀积一层氧化硅填充层；最后采用CMP对STI平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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