[发明专利]改善STI－CMP终点检测的方法有效
| 申请号： | 200610029611.4 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101118866A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 程晓华;方精训;赵正元;吕煜坤;王函;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3105;H01L21/66;B24B49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善STI－CMP终点检测的方法，包括STI－CMP前后相关工艺步骤和终点检测步骤，所述STI－CMP前后相关工艺依次包括氧化硅沉积、氮化硅沉积、STI沟槽刻蚀、氧化硅填入、化学机械抛光、氮化硅去除和氧化硅去除的步骤，在化学机械抛光步骤中采用终点检测的方法进行工艺控制，所述STI－CMP前道相关的工艺中，在所述氮化硅沉积和化学机械抛光的步骤之间，加入对氮化硅表面进行改变氮化硅表面特性的处理的步骤。本发明通过改变氮化硅表面特性的方式，使得后续化学机械抛光工艺步骤中能够明确的区分氮化硅和氧化硅的界面，方便终点检测步骤的进行，提高了整个工艺过程的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 sti cmp 终点 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善STI-CMP终点检测的方法，包括STI-CMP前后相关工艺步骤和终点检测步骤，所述STI-CMP前后相关工艺依次包括氧化硅沉积、氮化硅沉积、STI沟槽刻蚀、氧化硅填入、化学机械抛光、氮化硅去除和氧化硅去除的步骤，在化学机械抛光步骤中采用终点检测的方法进行工艺控制，其特征在于，所述STI-CMP前道相关的工艺中，在所述氮化硅沉积和化学机械抛光的步骤之间，加入对氮化硅表面进行改变氮化硅表面特性的处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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