[发明专利]AlN/SiO2纳米多层硬质薄膜无效
| 申请号： | 200610029135.6 | 申请日： | 2006-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1887815A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李戈扬;赵文济;孔明;戴嘉维 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;C23C16/34;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种AlN/SiO2纳米多层硬质薄膜，属于陶瓷薄膜领域。本发明由AlN层和SiO2层交替沉积在金属或陶瓷基底上形成，AlN层的厚度为3～6nm，SiO2层厚为0.4～1.2nm。本发明AlN/SiO2纳米多层硬质薄膜具有SiO2被晶化并与AlN形成共格外延生长的超晶格柱状晶的结构特征。本发明的AlN/SiO2纳米多层硬质薄膜不但具有优良的高温抗氧化性，而且具有较高的硬度；其硬度高于28GPa。最高硬度可达32GPa。本发明作为高速切削刀具及其它在高温条件下服役耐磨工件的涂层，具有很高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | aln sio sub 纳米 多层 硬质 薄膜 | ||
【主权项】：
1、一种AlN/SiO2纳米多层硬质薄膜，其特征在于，SiO2层(1)和AlN层(2)形成在金属或陶瓷基体(3)上，SiO2层(1)的厚度为0.4～1.2nm，AlN层(2)的厚度为3～6nm，AlN/SiO2纳米多层硬质薄膜的总厚度为2-4μm。
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